Tất cả sản phẩm
10 - 100V Electropolish Metal Plasma Assisted Electrochemical Polishing Chứng nhận ISO9001
| nhiệt độ: | 20-50℃ |
|---|---|
| chất điện phân: | Dung dịch axit |
| Khoảng thời gian: | 10-30 phút |
Máy hoàn thiện bề mặt mịn / bóng mượt Plasma Polishing Electrolytic
| Quá trình: | đánh bóng điện phân |
|---|---|
| Vật liệu: | Kim loại |
| Ưu điểm: | Hiệu quả cao, chi phí thấp, thân thiện với môi trường |
Xét bề mặt Plasma điện phân đánh bóng kim loại Plasma đánh bóng điện hóa học
| Tỉ lệ loại bỏ: | 0,1-0,5 Micron mỗi phút |
|---|---|
| nhiệt độ: | 20-50 độ C |
| Nhược điểm: | Giới hạn ở vật liệu dẫn điện, yêu cầu người vận hành có tay nghề cao |
20 - 100 Volt PEP Plasma Điện phân Xanh Máy đánh bóng bề mặt mịn
| Điện áp: | 20-100 Vôn |
|---|---|
| độ nhám bề mặt: | 0,1-0,5 Micron |
| Ưu điểm: | Hiệu quả cao, chi phí thấp, thân thiện với môi trường |
Máy điện đúc dung dịch trung tính 0,5 - 5 Amps để tăng khả năng chống ăn mòn
| nhiệt độ: | 20-50 độ C |
|---|---|
| Điện áp: | 20-100 Vôn |
| Hiện tại: | 0,5-5 Ampe |
Máy đánh bóng Plasma chính xác 3C được ISO9001 phê duyệt Máy loại bỏ Burr
| Loại sản phẩm: | Điện tử chính xác 3C |
|---|---|
| xử lý chính xác: | 0,002mm |
| Hiệu quả: | Cao |
Phương pháp trung tính Thiết bị điện đúc bề mặt mịn và bóng 20 - 100 Volt
| Vật liệu: | Kim loại |
|---|---|
| Điện áp: | 20-100 Vôn |
| chất điện phân: | dung dịch trung hòa |
Mật chất kim loại mịn mịn Plasma điện phân đánh bóng cho bề mặt kim loại dẫn điện bóng
| Khoảng thời gian: | 3-5 phút |
|---|---|
| Nhược điểm: | Giới hạn ở vật liệu dẫn điện, yêu cầu người vận hành có tay nghề cao |
| độ nhám bề mặt: | 0,1-0,5 Micron |
Máy đánh bóng kim loại bề mặt Máy đánh bóng điện hóa hỗ trợ plasma
| Ứng dụng: | Hàng không vũ trụ, ô tô, y tế, trang sức, v.v. |
|---|---|
| Chất lượng bề mặt: | Mượt mà và lấp lánh |
| Tỉ lệ loại bỏ: | 0,1-0,5 Micron mỗi phút |
20 - 50 độ C thiết bị đánh bóng điện phân plasma ISO9001 được phê duyệt
| Quá trình: | đánh bóng điện phân |
|---|---|
| nhiệt độ: | 20-50 độ C |
| Hiện tại: | 0,5-5 Ampe |